ROHM SEMICONDUCTOR

0.0
EMX18T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX18T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 12В; 0,5А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX1FHAT2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX1FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX1GT2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В Обозначение производителяEMX1GT2R
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX1GT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMX1T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
41.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX1T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX26T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
82.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX26T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX52T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX52T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMZ6.8NTL
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадвойной, общий анод КорпусSC75A, SOT416 МонтажSMD Напряжение стабилизации6,8В
67.19 
Доступность: 2990 шт.
+

Минимальное количество для товара "EMZ6.8NTL, Диод: стабилитрон; 150мВт; 6,8В; SMD; бобина,лента; SC75A,SOT416" 1.

0.0
FMA1AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA1AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMA2AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA2AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMA3AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA3AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 5.

0.0
FMA4AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
13.44 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA4AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25; 10кОм" 10.

0.0
FMA5AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току80
79.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA5AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMA9AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
29.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA9AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG1AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
37.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG1AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG2AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG2AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG3AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
37.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG3AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG4AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
41.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG4AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25; 10кОм" 1.

0.0
FMG6AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
14.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG6AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25; 47кОм" 3000.

0.0
FMG9AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
29.25 
Доступность: 3213 шт.
+

Минимальное количество для товара "FMG9AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMN1T148
Вид упаковкибобина, лента Время готовности4нс Импульсный ток0,25А Конструкция диодаобщий катод, четверной диод КорпусSC74A, SOT25
73.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMN1T148, Диод: импульсный; SMD; 80В; 25мА; 4нс; SC74A,SOT25; Ufmax: 0,9В" 1.

0.0
FMP1T148
Вид упаковкибобина, лента Время готовности4нс Емкость3,5пФ Импульсный ток0,25А Конструкция диодаобщий анод, четверной диод
85.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMP1T148, Диод: импульсный; SMD; 80В; 80мА; 4нс; SC74A,SOT25; Ufmax: 0,9В" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
208.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки