Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 43

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC Код производителяQH8JA1TCR КорпусTSMT8
245.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC Код производителяQH8JB5TCR КорпусTSMT8
290.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC Код производителяQH8JC5TCR КорпусTSMT8
313.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяQH8K26TR
180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяQH8KA2TCR КорпусTSMT8
62.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяQH8KA4TCR
278.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6/9,5нC Код производителяQH8M22TCR КорпусTSMT8
162.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8/8,4нC Код производителяQH8MA2TCR КорпусTSMT8
167.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC Код производителяQH8MA3TCR КорпусTSMT8
200.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC Код производителяQH8MA4TCR КорпусTSMT8
245.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяQS5K2TR
166.67 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяQS5U12TR
142.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U12TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC Код производителяQS5U13TR
89.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяQS5U16TR
171.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяQS5U17TR
148.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC Код производителяQS5U21TR
79.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U21TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC Код производителяQS5U23TR
84.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U23TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC Код производителяQS5U26TR
92.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U26TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC Код производителяQS5U27TR
183.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U27TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC Код производителяQS5U28TR
135.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U28TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения