Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 44

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC Код производителяQS5U33TR
128.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U33TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC Код производителяQS5U34TR
140.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяQS6J11TR
133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяQS6J1TR
131.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяQS6K1FRATR КорпусTSMT6
94.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяQS6K1TR
182.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяQS6K21FRATR
184.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяQS6K21TR
171.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC Код производителяQS6M4TR КорпусTSMT6
126.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяQS6U22TR КорпусTSMT6
92.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяQS6U24TR КорпусTSMT6
109.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяQS8J13TR
242.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяQS8J2TR
256.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяQS8J4TR
282.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяQS8J5TR
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J5TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяQS8K11TCR
195.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC Код производителяQS8K13TCR
327.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC Код производителяQS8M31TR КорпусTSMD8
189.88 
Доступность: 970 шт.
 

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC Код производителяQS8M51FRATR КорпусTSMD8
151.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC Код производителяQS8M51TR КорпусTSMD8
343.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения