Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 57

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяRSF014N03TL КорпусTUMT3
137.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF014N03TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRSF015N06FRATL КорпусTUMT3
76.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF015N06FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 1,5А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRSF015N06TL КорпусTUMT3
81.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF015N06TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,5А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяRSH065N06GZETB КорпусSOP8
220.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH065N06GZETB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяRSH065N06TB1 КорпусSOP8
246.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH065N06TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRSH070N05GZETB КорпусSOP8
222.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070N05GZETB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRSH070N05TB1 КорпусSOP8
240.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070N05TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяRSH070P05GZETB КорпусSOP8
135.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070P05GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяRSH070P05TB1 КорпусSOP8
123.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070P05TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяRSJ151P10TL КорпусD2PAK
297.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяRSJ250P10FRATL
404.64 
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяRSJ250P10TL КорпусD2PAK
611.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяRSJ400N06FRATL КорпусD2PAK
377.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ400N06FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; Idm: 80А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяRSJ400N10TL КорпусD2PAK
828.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ400N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC Код производителяRSJ550N10TL КорпусD2PAK
253.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ550N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 55А; Idm: 110А; 100Вт; D2PAK" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC Код производителяRSJ650N10TL КорпусD2PAK
402.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ650N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 65А; Idm: 130А; 100Вт; D2PAK" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSM002N06T2L КорпусVMT3 МонтажSMD
50.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002N06T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; VMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSM002P03T2L КорпусVMT3 МонтажSMD
65.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRSQ015N06TR КорпусTSMT6
53.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015N06TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,5А; Idm: 6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяRSQ015P10FRATR КорпусTSMT6
165.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения