Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 59

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяRSS100N03HZGTB КорпусSOP8
347.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSS100N03HZGTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 40А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSU002P03T106 КорпусUMT3 МонтажSMD
64.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC Код производителяRTF016N05TL КорпусTUMT3
83.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTF016N05TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 1,6А; Idm: 6,4А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC Код производителяRTF025N03FRATL КорпусTUMT3
104.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTF025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC Код производителяRTF025N03TL КорпусTUMT3
188.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTF025N03TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC Код производителяRTL020P02FRATR КорпусTUMT6
118.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC Код производителяRTL035N03TR КорпусTUMT6
154.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTL035N03TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 1Вт; TUMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC Код производителяRTQ025P02FRATR КорпусTSMT6
55.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяRTQ035P02FHATR КорпусTSMT6
167.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRTR020N05HZGTL КорпусTSMT3
127.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020N05HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRTR020N05TL КорпусTSMT3
87.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020N05TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC Код производителяRTR020P02FRATL КорпусTSMT3
57.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяRTR025N03HZGTL КорпусTSMT3
144.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR025N03HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяRTR025P02FRATL КорпусTSMT3
60.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRTR030N05FRATL КорпусTSMT3
169.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030N05FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRTR030N05HZGTL КорпусTSMT3
200.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030N05HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRTR030N05TL КорпусTSMT3
100.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030N05TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC Код производителяRTR030P02FHATL КорпусTSMT3
151.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC Код производителяRTR040N03HZGTL КорпусTSMT3
160.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR040N03HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1C001UNTCL КорпусSOT323F
51.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения