Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 60

Сортировать по:
Новинки ниже
RUM002N05T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723
0.0
RUM002N05T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
53.56 ₽
Доступность: 8285 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N05T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723" 1.

RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RUQ050N02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
51.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RUR020N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
121.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3
0.0
RUR040N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
151.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3
0.0
RUR040N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
144.53 ₽
Доступность: 2770 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт
0.0
RV1C001ZPT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
46.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт
0.0
RV1C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
23.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт
0.0
RV2C002UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
49.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3
0.0
RV2C010UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
66.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт
0.0
RV2C014BCT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
71.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт
0.0
RV3C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
69.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W
0.0
RV8L002SNHZGG2CR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1010-3W МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
96.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RVQ040N05TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
124.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
0.0
RXH090N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
233.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
0.0
RXH125N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
200.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
0.0
RYC002N05T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
60.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3
0.0
RYM002N05T2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
61.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт
0.0
RZF013P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
81.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
126.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3
0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
104.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки