Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 61

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV1C002UNT2CL КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD
26.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV2C002UNT2L КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
56.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV2C010UNT2L КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
74.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV2C014BCT2CL КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
81.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV3C002UNT2CL КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD
78.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV8L002SNHZGG2CR КорпусDFN1010-3W МонтажSMD
109.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC Код производителяRVQ040N05TR КорпусTSMT6
140.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяRXH090N03TB1 КорпусSOP8
263.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC Код производителяRXH125N03TB1 КорпусSOP8
226.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRYC002N05T316 КорпусSST3 МонтажSMD
68.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRYM002N05T2CL КорпусVMT3 МонтажSMD
69.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC Код производителяRZF013P01TL КорпусTUMT3
92.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRZF020P01TL КорпусTUMT3
143.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяRZF030P01TL КорпусTUMT3
118.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRZM001P02T2L КорпусSOT723
38.97 
Доступность: 354 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRZM002P02T2L КорпусSOT723
36.48 
Доступность: 806 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяSCT2080KEGC11 КорпусTO247
4 500.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCT2080KEGC11, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 40А; Idm: 80А; 262Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяSCT2160KEGC11 КорпусTO247
2 557.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCT2160KEGC11, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; Idm: 55А; 165Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора36нC Код производителяSCT2280KEGC11 КорпусTO247
1 845.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCT2280KEGC11, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 35А; 108Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора27нC Код производителяSCT2450KEC КорпусTO247
2 426.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCT2450KEC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 7А; Idm: 25А; 85Вт; TO247" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения