Бренды :: ROHM SEMICONDUCTOR

QDZT18R5.6, Диод: стабилитрон; 200мВт; 5,6В; SMD; бобина,лента; одиночный диод

0.0

КОД:

QDZT18R5.6

Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусDSN1006-2, SOD882 МонтажSMD Напряжение стабилизации5,6В

57⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QDZT18R5.6, Диод: стабилитрон; 200мВт; 5,6В; SMD; бобина,лента; одиночный диод" 1.

QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8JA1TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

153⁴¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8JB5TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

301¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт

0.0

КОД:

QH8JC5TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

237⁶⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт" 1.

QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8K26TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусTSMT8

146⁷⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8" 1.

QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8KA2TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

53⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8KA4TCR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT8

195⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт

0.0

КОД:

QH8M22TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6/9,5нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

261³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт" 1.

QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт

0.0

КОД:

QH8MA2TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8/8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

138²⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт" 1.

QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт

0.0

КОД:

QH8MA3TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

136³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт" 1.

QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт

0.0

КОД:

QH8MA4TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

97⁵⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт" 1.

QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25

0.0

КОД:

QS5K2TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Конструкция диодаобщий источник

102²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25" 1.

QS5U12TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт

0.0

КОД:

QS5U12TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25

116⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U12TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт

0.0

КОД:

QS5U13TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC КорпусTSOT25

50¹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD

0.0

КОД:

QS5U16TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25

129⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD" 1.

QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт

0.0

КОД:

QS5U17TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25

92⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт" 1.

QS5U21TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А

0.0

КОД:

QS5U21TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25

55⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U21TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

QS5U23TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А

0.0

КОД:

QS5U23TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25

55⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U23TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

QS5U26TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А

0.0

КОД:

QS5U26TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25

55⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U26TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

QS5U27TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А

0.0

КОД:

QS5U27TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25

71⁰² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U27TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

QS5U28TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; ESD

0.0

КОД:

QS5U28TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусTSOT25

130⁶⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U28TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

QS5U33TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А; ESD

0.0

КОД:

QS5U33TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусTSOT25

126⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U33TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD

0.0

КОД:

QS5U34TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTSOT25

75⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD" 1.

QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6

0.0

КОД:

QS6J11TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTSMT6

108⁹⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.