Бренды :: ROHM SEMICONDUCTOR

RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

0.0

КОД:

RJP020N06FRAT100

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD

166⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

0.0

КОД:

RJP020N06T100

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD

105¹¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3

0.0

КОД:

RJU002N06FRAT106

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

34⁰⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD

0.0

КОД:

RJU003N03FRAT106

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD

75⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3

0.0

КОД:

RK7002AT116

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSST3 МонтажSMD

17⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 1.

RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3

0.0

КОД:

RK7002BMHZGT116

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

42⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD

0.0

КОД:

RK7002BMT116

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD

35⁰⁴ ^₽

Доступность: 2283 шт.

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

RN141CMT2R, Диод: импульсный; 50В; 0,1А; SOD923; одиночный диод; Ufmax: 1В

0.0

КОД:

RN141CMT2R

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,8пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD923 МонтажSMD

116⁴⁸ ^₽

Доступность: 7820 шт.

Минимальное количество для товара "RN141CMT2R, Диод: импульсный; 50В; 0,1А; SOD923; одиночный диод; Ufmax: 1В" 1.

RN142SMT2R, Диод: импульсный; 60В; 0,1А; SC79,SOD523; одиночный диод; Ufmax: 1В

0.0

КОД:

RN142SMT2R

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,45пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSC79, SOD523 МонтажSMD

25⁵⁷ ^₽

Доступность: 8000 шт.

Минимальное количество для товара "RN142SMT2R, Диод: импульсный; 60В; 0,1А; SC79,SOD523; одиночный диод; Ufmax: 1В" 1.

RN731VTE-17, Диод: импульсный; 50В; 50мА; SC90A,SOD323F; одиночный диод; 0,4пФ

0.0

КОД:

RN731VTE-17

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,4пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSC90A, SOD323F МонтажSMD

70⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN731VTE-17, Диод: импульсный; 50В; 50мА; SC90A,SOD323F; одиночный диод; 0,4пФ" 1.

RN739DT146, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 100мВт; SC59,SOT346; Ufmax: 1В; 0,4пФ

0.0

КОД:

RN739DT146

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,4пФ Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSC59, SOT346 МонтажSMD

34⁰⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN739DT146, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 100мВт; SC59,SOT346; Ufmax: 1В; 0,4пФ" 1.

RN739FT106, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 100мВт; SC70,SOT323; Ufmax: 1В; 0,4пФ

0.0

КОД:

RN739FT106

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,4пФ Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD

100³⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN739FT106, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 100мВт; SC70,SOT323; Ufmax: 1В; 0,4пФ" 1.

RN771VTE-17, Диод: импульсный; 50В; 50мА; SC90A,SOD323F; одиночный диод; 0,9пФ

0.0

КОД:

RN771VTE-17

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,9пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSC90A, SOD323F МонтажSMD

98⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN771VTE-17, Диод: импульсный; 50В; 50мА; SC90A,SOD323F; одиночный диод; 0,9пФ" 1.

RN779FT106, Диод: импульсный; 50В; 50мА; SC70,SOT323; Ufmax: 1В; бобина,лента

0.0

КОД:

RN779FT106

Вид упаковкибобина, лента Емкость0,9пФ Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD

40⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN779FT106, Диод: импульсный; 50В; 50мА; SC70,SOT323; Ufmax: 1В; бобина,лента" 1.

RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

RQ1A060ZPTR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

169⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

RQ1A070APTR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

156²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

RQ1A070ZPFRATR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

151⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

RQ1C075UNTR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

172³⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

RQ1E070RPTR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

219⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

RQ1E075XNTCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8

0.0

КОД:

RQ3C150BCTB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусHSMT8 МонтажSMD

209²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8

0.0

КОД:

RQ3E070BNTB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусHSMT8 МонтажSMD

110⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8

0.0

КОД:

RQ3E075ATTB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусHSMT8 МонтажSMD

150⁵⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8

0.0

КОД:

RQ3E080BNTB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD

84²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.