Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

SEMIKRON DANFOSS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SEMIX191KD16S 27890812, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 190А
0.0
SEMIX191KD16S
Импульсный ток5кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX191KD16S 27890812
28 341.50 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX191KD16S 27890812, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 190А" 1.

SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
0.0
SEMIX201GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX201GD066HDS 27891220
108 061.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB066HDS 27891110
51 562.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12E4S 27890110
61 984.19 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111
48 915.42 ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB17E4S 27892074
74 600.79 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
0.0
SEMIX205GD12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205GD12E4 21919530
184 675.10 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами
0.0
SEMIX205MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI07E4 21919420
132 562.85 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами" 1.

SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А
0.0
SEMIX205MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI12E4V2 27922890
141 522.53 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC
0.0
SEMIX205TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205TMLI12E4B 21919470
130 735.18 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX206GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12M7P 27896120
140 792.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
0.0
SEMIX206GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12T4P 27896030
162 915.42 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX223GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002
76 063.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX223GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102
78 624.51 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX223GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402
90 509.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А
0.0
SEMIX223GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208
217 587.35 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

SEMIX241DH16S 27890840, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 240А; Ifsm: 1,9кА
0.0
SEMIX241DH16S
Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,9кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами
16 181.82 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX241DH16S 27890840, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 240А; Ifsm: 1,9кА" 1.

SEMIX245DH16 21920620, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 336А; Ifsm: 1,8кА
0.0
SEMIX245DH16
Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,8кА КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами
37 666.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX245DH16 21920620, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 336А; Ifsm: 1,8кА" 1.

SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX252GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680
69 846.64 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX256GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130
159 990.51 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Воздушный поток
Размер вентилятора
Срок поставки
Уровень шума