semikron danfoss

SEMIX291D16S 27890816, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 232А; Ifsm: 1,38кА

0.0

КОД:

SEMIX291D16S

Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,38кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами

44 980.24 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX291D16S 27890816, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 232А; Ifsm: 1,38кА" 1.

SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAL12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220

59 242.69 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAL17E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120

69 664.82 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAR12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222

58 510.67 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB066HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120

62 716.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120

79 720.16 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121

95 445.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470

93 799.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110

99 650.59 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302KD16S 27890800, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302KD16S

Импульсный ток7,5кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KD16S 27890800

18 467.98 ₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302KD16S 27890800, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 300А" 1.

SEMIX302KH16S 27890822, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 300А; SEMIX2S; Ufmax: 1,7В

0.0

КОД:

SEMIX302KH16S

Импульсный ток9,3кА Конструкция диодадва последовательных диода Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KH16S 27890822 Обратное напряжение макс.1,6кВ

46 077.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302KH16S 27890822, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 300А; SEMIX2S; Ufmax: 1,7В" 1.

SEMIX302KT16S 27890820, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 300А

0.0

КОД:

SEMIX302KT16S

Импульсный ток9,3кА Конструкция диодадва последовательных диода Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KT16S 27890820 Обратное напряжение макс.1,6кВ

51 562.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302KT16S 27890820, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 300А" 1.

SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4I50P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007

101 845.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4P 27895007

90 874.31 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4S 27890130

87 033.99 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12M7P 27895107

89 960.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12VS 27890131

85 389.72 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4P 27895407

105 136.76 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4S 27892075

104 953.36 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX303GD12E4C

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GD12E4C 27890210

255 984.19 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.