Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

SEMIKRON DANFOSS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX223GB12E4P
0.0
Нет в наличии
86 65246 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002
SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX223GB12M7P
0.0
Нет в наличии
89 56818 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102
SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX223GB17E4P
0.0
Нет в наличии
103 10890 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402
SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: ...
SEMIX223GD12E4C
0.0
Нет в наличии
247 87595 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208
SEMIX241DH16S 27890840, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 240А; Ifsm: 1,9кА
SEMIX241DH16S
0.0
Нет в наличии
18 43466 ₽
Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,9кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами
SEMIX245DH16 21920620, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 336А; Ifsm: 1,8кА
SEMIX245DH16
0.0
Нет в наличии
42 90909 ₽
Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,8кА КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами
SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX252GB126HDS
0.0
Нет в наличии
79 57102 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680
SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
SEMIX256GD12M7P
0.0
Нет в наличии
182 26231 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130
SEMIX291D16S 27890816, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 232А; Ifsm: 1,38кА
SEMIX291D16S
0.0
Нет в наличии
51 24148 ₽
Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,38кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами
SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: ...
SEMIX302GAL12E4S
0.0
Нет в наличии
67 48864 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220
SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: ...
SEMIX302GAL17E4S
0.0
Нет в наличии
79 36269 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120
SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А
SEMIX302GAR12E4S
0.0
Нет в наличии
66 65530 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222
SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX302GB066HDS
0.0
Нет в наличии
71 44602 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120
SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX302GB12E4S
0.0
Нет в наличии
90 81913 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120
SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX302GB12VS
0.0
Нет в наличии
108 73295 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121
SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX302GB176HDS
0.0
Нет в наличии
106 85701 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470
SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX302GB17E4S
0.0
Нет в наличии
113 52367 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110
SEMIX302KD16S 27890800, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 300А
SEMIX302KD16S
0.0
Нет в наличии
16 35038 ₽
Импульсный ток7,5кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KD16S 27890800
SEMIX302KH16S 27890822, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 300А; SEMIX2S; Ufmax: 1,7В
SEMIX302KH16S
0.0
Нет в наличии
52 49242 ₽
Импульсный ток9,3кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KH16S 27890822
SEMIX302KT16S 27890820, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 300А
SEMIX302KT16S
0.0
Нет в наличии
58 74053 ₽
Импульсный ток9,3кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KT16S 27890820
SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост...
SEMIX303GB12E4I50P
0.0
Нет в наличии
116 02273 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007
SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX303GB12E4P
0.0
Нет в наличии
103 52462 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4P 27895007
SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX303GB12E4S
0.0
Нет в наличии
99 15152 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4S 27890130
SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX303GB12M7P
0.0
Нет в наличии
102 48201 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12M7P 27895107
Показать еще 24 товара