Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

SEMIKRON DANFOSS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB07E3P
0.0
Нет в наличии
128 31250 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост...
SEMIX453GB12E4I33P
0.0
Нет в наличии
144 76894 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
SEMIX453GB12E4IP
0.0
Нет в наличии
139 76894 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB12E4P
0.0
Нет в наличии
135 39394 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB12E4S
0.0
Нет в наличии
133 31250 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB12M7P
0.0
Нет в наличии
131 64583 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB12VS
0.0
Нет в наличии
154 55871 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB17E4DP
0.0
Нет в наличии
169 13920 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост...
SEMIX453GB17E4I50P
0.0
Нет в наличии
176 42992 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
SEMIX453GB17E4IP
0.0
Нет в наличии
168 51515 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB17E4P
0.0
Нет в наличии
163 93087 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
SEMIX453GB17E4S
0.0
Нет в наличии
168 72159 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: ...
SEMIX453GD12E4C
0.0
Нет в наличии
374 93939 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic:...
SEMIX453GD176HDC
0.0
Нет в наличии
445 76042 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: ...
SEMIX453GD17E4C
0.0
Нет в наличии
481 17045 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
SEMIX453GM12E4P
0.0
Нет в наличии
146 64205 ₽
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
SEMIX501D17FS 27891400, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,7кВ; If: 494А; Ifsm: 2,74кА
SEMIX501D17FS
0.0
Нет в наличии
25 41288 ₽
Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток2,74кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами
SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic:...
SEMIX503GD126HDC
0.0
Нет в наличии
391 60227 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
SEMIX526D22P 27894030, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 2,2кВ; If: 384А; Ifsm: 5,3кА
SEMIX526D22P
0.0
Нет в наличии
167 88826 ₽
Версияmодуль Импульсный ток5,3кА КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX526D22P 27894030
SEMIX586D16P 27894020, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 392А; Ifsm: 4,2кА
SEMIX586D16P
0.0
Нет в наличии
117 48106 ₽
Версияmодуль Импульсный ток4,2кА КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX586D16P 27894020
SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic:...
SEMIX603GAL066HDS
0.0
Нет в наличии
89 36174 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: ...
SEMIX603GAL12E4P
0.0
Нет в наличии
141 43561 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: ...
SEMIX603GAL17E4P
0.0
Нет в наличии
140 18466 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: ...
SEMIX603GAR066HDS
0.0
Нет в наличии
88 11080 ₽
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134
Показать еще 24 товара