Товары от производителя SEMIKRON DANFOSS - страница 46

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
24 258.25 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
21 831.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
19 593.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
25 378.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
77 813.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 195.16 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK25GD12T4ETE1 24921440
10 113.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK25GD12T4ETE1 24921440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 16.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
29 110.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 30 GD 066 ET 24914960
23 512.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

ВерсияT2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 198.09 
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GB 12T4 24914900
7 090.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 126 ET 24910230
40 306.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GB 12T4 T 24914910
21 646.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GBB 066 T 24914750
29 297.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
34 148.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
22 765.22 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
51 129.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 MLI 066 24914390
26 683.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 55 DGL 126 24910820
7 295.67 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GAL 125 24912560
29 857.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Воздушный поток
Рабочее напряжение
Размер вентилятора
Срок поставки
Уровень шума