semikron danfoss

SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX603GAR12E4P

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040

124 151.78 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB066HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132

109 524.11 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4I25P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010

173 520.95 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4IP

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4IP 27897000

172 972.33 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4P 27895000

170 594.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4PV1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4PV1 27895001

158 161.26 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4SICP

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300

86 668.77 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12M7P 27895100

144 630.83 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4P 27895400

199 302.77 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB17E4PV1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4PV1 27895401

184 675.10 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603KD16P 27897500, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 732А

0.0

КОД:

SEMIX603KD16P

Импульсный ток9кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX603KD16P 27897500

76 246.64 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603KD16P 27897500, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 732А" 1.

SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX604GAL12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAL12E4S 27890154

107 147.83 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX604GAR12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAR12E4S 27890156

106 050.59 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12E4S 27890150

155 052.96 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12VS 27890151

80 268.77 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB176HDS 27890520

178 823.72 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB17E4S 27892140

197 473.52 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX636D16P 27894010, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 482А; Ifsm: 5,5кА

0.0

КОД:

SEMIX636D16P

Версияmодуль Импульсный ток5,5кА КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX636D16P 27894010

110 072.73 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX636D16P 27894010, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 482А; Ifsm: 5,5кА" 1.

SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX653GAL176HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540

115 010.28 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX653GAR176HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530

113 729.64 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX653GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450

175 532.02 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX653GD176HDC

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430

511 968.38 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX703GB126HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700

156 515.42 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX703GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801

163 098.81 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.