Товары от производителя SMC DIODE SOLUTIONS - страница 68

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC Код производителяS2M0025120K КорпусTO247-4
10 580.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0025120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 250А; 517Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора118нC Код производителяS2M0040120K-1 КорпусTO247-4
3 721.39 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0040120K-1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; Idm: 160А; 320,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяS2M0080120D КорпусTO247-3
3 356.55 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяS2M0080120K КорпусTO247-4
957.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяS2M0080120N Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
5 199.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; 176Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяS2M0080120T КорпусTOLL
804.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29,6нC Код производителяS2M0120120J КорпусD2PAK-7
1 030.68 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC Код производителяS2M0120120J КорпусD2PAK-7
1 202.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29,6нC Код производителяS2M0120120K КорпусTO247-4
957.71 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC Код производителяS2M0120120T КорпусTOLL
680.76 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт; TOLL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора26,5нC Код производителяS2M0160120J КорпусD2PAK-7
1 182.42 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяS2M0160120J КорпусD2PAK-7
1 112.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора26,5нC Код производителяS2M0160120K КорпусTO247-4
691.54 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 130Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяS2M0160120T КорпусTOLL
757.05 
Доступность: 40 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 121Вт; TOLL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора287нC Код производителяS3M0016120B КорпусT2PAK
2 699.83 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0016120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 75А; Idm: 250А; 576Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора287нC Код производителяS3M0016120D КорпусTO247-3
2 900.50 
Доступность: 254 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0016120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора287нC Код производителяS3M0016120K КорпусTO247-4
2 316.75 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора175нC Код производителяS3M0025120B КорпусT2PAK
2 663.35 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0025120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 200А; 394Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора175нC Код производителяS3M0025120D КорпусTO247-3
1 508.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S3M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора175нC Код производителяS3M0025120K КорпусTO247-4
1 585.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S3M0025120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Версия
Кол-во каналов
Механический монтаж
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Монтажная резьба
Выводы