Товары от производителя SMC DIODE SOLUTIONS - страница 69

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC Код производителяS3M0025120T КорпусTOLL
1 413.76 
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0025120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора143нC Код производителяS3M0040120B КорпусT2PAK
1 006.63 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора143нC Код производителяS3M0040120D КорпусTO247-3
1 510.78 
Доступность: 228 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора143нC Код производителяS3M0040120J-A КорпусD2PAK-7
1 477.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120J-A, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 223А; 600Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC Код производителяS3M0040120J-A КорпусD2PAK-7
1 477.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120JATR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 223А; 600Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора143нC Код производителяS3M0040120K КорпусTO247-4
1 125.21 
Доступность: 60 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяS3M0040120N Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
4 742.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 46А; SOT227B; винтами; 483Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC Код производителяS3M0040120T КорпусTOLL
954.39 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0040120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт" 1.

Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток45А Код производителяDB105STR КорпусDBS Обратное напряжение макс.0,6кВ
35.66 
Доступность: 1341 шт.
 

Минимальное количество для товара "DB105STR, Диодный мост: однофазный; Urmax: 600В; If: 1А; Ifsm: 45А; DBS; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток45А Код производителяDB105TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.0,6кВ
37.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DB105TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 600В; If: 1А; Ifsm: 45А; DB-M; THT" 1.

Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток45А Код производителяDB107STR КорпусDBS Обратное напряжение макс.1кВ
35.66 
Доступность: 58 шт.
 

Минимальное количество для товара "DB107STR, Диодный мост: однофазный; Urmax: 1кВ; If: 1А; Ifsm: 45А; DBS; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток45А Код производителяDB107TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.1кВ
51.41 
Доступность: 2142 шт.
 

Минимальное количество для товара "DB107TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 1кВ; If: 1А; Ifsm: 45А; DB-M; THT" 1.

Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток55А Код производителяDB155STR КорпусDBS Обратное напряжение макс.0,6кВ
47.26 
Доступность: 950 шт.
 

Минимальное количество для товара "DB155STR, Диодный мост: однофазный; Urmax: 600В; If: 1,5А; Ifsm: 55А; DBS; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток55А Код производителяDB155TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.0,6кВ
66.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DB155TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 600В; If: 1,5А; Ifsm: 55А; DB-M; THT" 1.

Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток55А Код производителяDB157STR КорпусDBS Обратное напряжение макс.1кВ
53.07 
Доступность: 2775 шт.
 

Минимальное количество для товара "DB157STR, Диодный мост: однофазный; Urmax: 1кВ; If: 1,5А; Ifsm: 55А; DBS; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток55А Код производителяDB157TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.1кВ
66.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DB157TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 1кВ; If: 1,5А; Ifsm: 55А; DB-M; THT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток50А Код производителяDF01TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.50В
72.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DF01TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 50В; If: 1А; Ifsm: 50А; DB-M; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток50А Код производителяDF02TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.100В
72.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DF02TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 100В; If: 1А; Ifsm: 50А; DB-M; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток50А Код производителяDF03TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.200В
72.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DF03TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 200В; If: 1А; Ifsm: 50А; DB-M; SMT" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток50А Код производителяDF04TB КорпусDB-M Обратное напряжение макс.0,4кВ
72.97 
Доступность: 2377 шт.
 

Минимальное количество для товара "DF04TB, Диодный мост: однофазный; Urmax: 400В; If: 1А; Ifsm: 50А; DB-M; SMT" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Версия
Кол-во каналов
Механический монтаж
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Монтажная резьба
Выводы