starpower semiconductor

GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F1S

6 309.88 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F4S

6 689.33 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120L2S

5 822.92 ₽

Доступность: 17 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFU120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S

20 374.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S

6 309.88 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S

6 219.76 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А

0.0

КОД:

GD25PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S

8 491.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А

0.0

КОД:

GD30PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S

5 859.29 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

0.0

КОД:

GD35PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S

9 068.77 ₽

Доступность: 14 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А

0.0

КОД:

GD40PIY120C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S

12 638.74 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S

11 359.68 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFY120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S

13 612.65 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1

0.0

КОД:

GD50FSX65L2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S

6 599.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD50HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S

6 942.29 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50HHU120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S

14 226.09 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIX65C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S

13 324.90 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PJX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S

9 574.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S

13 179.45 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S

7 734.39 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD75MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S

9 754.94 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.