Товары от производителя STARPOWER SEMICONDUCTOR - страница 9

Код производителяGD900HFY120P1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 152.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 9.

Фильтры товаров
Срок поставки
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Механический монтаж
Ток коллектора
Обратное напряжение макс.
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Корпус
Тип модуля
Ток стока
Электрический монтаж
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Заряд затвора
Время включения
Напряжение затвор-исток
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения