Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

STMicroelectronics

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
STF7N80K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF7N80K5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF7N80K5 Полярностьполевой
346.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STF7N80K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF7N90K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF7N90K5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF7N90K5 Полярностьполевой
422.13 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STF7N90K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF7N95K3, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF7N95K3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF7N95K3 Полярностьполевой
664.03 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STF7N95K3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF7NM80, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF7NM80
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF7NM80 Полярностьполевой
471.15 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STF7NM80, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF8N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 4,4А; 25Вт; TO220FP
0.0
STF8N65M5
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
493.28 ₽
Доступность: 50 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STF8N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 4,4А; 25Вт; TO220FP" 1.

STF8N80K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF8N80K5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF8N80K5 Полярностьполевой
395.26 ₽
Доступность: 177 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STF8N80K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF8N90K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF8N90K5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF8N90K5 Полярностьполевой
572.33 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STF8N90K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF8NK100Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 40Вт; TO220FP; ESD
0.0
STF8NK100Z
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
837.94 ₽
Доступность: 96 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STF8NK100Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 40Вт; TO220FP; ESD" 1.

STF8NM50N, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STF8NM50N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTF8NM50N Полярностьполевой
375.49 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STF8NM50N, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STF9N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5,5А; Idm: 22А; 20Вт; TO220FP
0.0
STF9N60M2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусTO220FP МонтажTHT
219.76 ₽
Доступность: 140 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STF9N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5,5А; Idm: 22А; 20Вт; TO220FP" 1.

STF9NK90Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 5А; 40Вт; TO220FP; ESD
0.0
STF9NK90Z
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
393.68 ₽
Доступность: 156 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STF9NK90Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 5А; 40Вт; TO220FP; ESD" 1.

STFH13N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP
0.0
STFH13N60M2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора17нC КорпусTO220FP МонтажTHT
295.65 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STFH13N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP" 1.

STFU10NK60Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; Idm: 36А; 35Вт; TO220FP
0.0
STFU10NK60Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора48нC КорпусTO220FP МонтажTHT
180.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STFU10NK60Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; Idm: 36А; 35Вт; TO220FP" 1.

STFW12N120K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STFW12N120K5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTFW12N120K5 Полярностьполевой
2 267.19 ₽
Доступность: 180 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STFW12N120K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STFW1N105K3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,05кВ; 1,4А; Idm: 5,6А; 20Вт; TO3PF
0.0
STFW1N105K3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC КорпусTO3PF МонтажTHT
417.39 ₽
Доступность: 60 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STFW1N105K3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,05кВ; 1,4А; Idm: 5,6А; 20Вт; TO3PF" 1.

STFW2N105K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STFW2N105K5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTFW2N105K5 Полярностьполевой
384.19 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STFW2N105K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STFW38N65M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STFW38N65M5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSTFW38N65M5 Полярностьполевой
1 144.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STFW38N65M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STFW3N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 1,6А; 63Вт; TO3PF
0.0
STFW3N150
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
594.47 ₽
Доступность: 103 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STFW3N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 1,6А; 63Вт; TO3PF" 1.

STFW4N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 63Вт; TO3PF
0.0
STFW4N150
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
994.47 ₽
Доступность: 26 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STFW4N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 63Вт; TO3PF" 1.

STG3157CTR, IC: аналоговый переключатель; 1,65÷5,5ВDC; GPIO; SMD; SOT323-6L
0.0
STG3157CTR
Вид микросхемыSPDT, демультиплексор, мультиплексор ИнтерфейсGPIO Кол-во каналов1 КорпусSOT323-6L МонтажSMD
64.03 ₽
Доступность: 8828 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STG3157CTR, IC: аналоговый переключатель; 1,65÷5,5ВDC; GPIO; SMD; SOT323-6L" 1.

STG719STR, IC: аналоговый переключатель; 1,8÷5,5ВDC; GPIO; SMD; SOT23-6; Ch: 1
0.0
STG719STR
Вид микросхемыSPDT, демультиплексор, мультиплексор ИнтерфейсGPIO Кол-во каналов1 КорпусSOT23-6 МонтажSMD
130.43 ₽
Доступность: 2682 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STG719STR, IC: аналоговый переключатель; 1,8÷5,5ВDC; GPIO; SMD; SOT23-6; Ch: 1" 1.

STGAP1BS, IC: driver; контроллер затвора; SO24-W; -5÷5А; 1,5кВ; Ch: 1
0.0
STGAP1BS
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса25нс Время падения импульса25нс Выходное напряжение1,5кВ
1 348.62 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP1BS, IC: driver; контроллер затвора; SO24-W; -5÷5А; 1,5кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2DM, IC: driver; полумост MOSFET; контроллер затвора; SO16; -4÷4А; Ch: 2
0.0
STGAP2DM
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,7кВ
545.45 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2DM, IC: driver; полумост MOSFET; контроллер затвора; SO16; -4÷4А; Ch: 2" 1.

STGAP2GSCTR, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -3÷2А; 1,2кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2GSCTR
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
442.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2GSCTR, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -3÷2А; 1,2кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2GSNCTR, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -3÷2А; 1,2кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2GSNCTR
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
325.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2GSNCTR, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -3÷2А; 1,2кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2HDMTR, IC: driver; контроллер затвора; SO36-W; -4÷4А; 1,2кВ; Ch: 2
0.0
STGAP2HDMTR
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
690.91 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2HDMTR, IC: driver; контроллер затвора; SO36-W; -4÷4А; 1,2кВ; Ch: 2" 1.

STGAP2HSCMTR, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2HSCMTR
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
442.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2HSCMTR, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2HSM, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2HSM
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
491.70 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2HSM, IC: driver; контроллер затвора; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2SCM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2SCM
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,7кВ
498.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SCM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2SICD, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO36-W; -4÷4А; 1,2кВ
0.0
STGAP2SICD
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
690.91 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICD, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO36-W; -4÷4А; 1,2кВ" 1.

STGAP2SICS, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; 4А; Ch: 1; 1МГц
0.0
STGAP2SICS
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Выходной ток4А Кол-во каналов1 КорпусSO8-W МонтажSMD
499.60 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICS, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; 4А; Ch: 1; 1МГц" 1.

STGAP2SICSACTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ
0.0
STGAP2SICSACTR
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
460.08 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSACTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ" 1.

STGAP2SICSANCTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2SICSANCTR
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,7кВ
381.03 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSANCTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2SICSC, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ
0.0
STGAP2SICSC
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
528.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSC, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ" 1.

STGAP2SICSNC, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2SICSNC
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,7кВ
474.31 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSNC, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2SICSNTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2SICSNTR
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,7кВ
363.64 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSNTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1" 1.

STGAP2SICSTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ
0.0
STGAP2SICSTR
Вид микросхемыконтроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,2кВ
534.39 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ" 1.

STGAP2SM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
0.0
STGAP2SM
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса30нс Время падения импульса30нс Выходное напряжение1,7кВ
346.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP2SM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1" 1.

STGAP4S, IC: driver; SO36-W; -2,5А÷600мА; Ch: 1; гальваническая развязка
0.0
STGAP4S
Вид микросхемыконтроллер затвора IGBT, контроллер затвора SiC MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса15нс Время падения импульса45нс Выходной ток-2,5А...600мА
1 883.00 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGAP4S, IC: driver; SO36-W; -2,5А÷600мА; Ch: 1; гальваническая развязка" 1.

STGB10H60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 115Вт; D2PAK
0.0
STGB10H60DF
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
265.61 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STGB10H60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 115Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки