Товары от производителя STMicroelectronics - страница 102

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусMAX247 МонтажTHT
3 323.55 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "STY60NM50, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусMAX247 МонтажTHT
3 065.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STY60NM60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,8А; Idm: 60А; 460Вт; MAX247" 1.

Вид упаковкитуба КорпусSOT32 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер40В Обозначение производителя2SD882
192.96 
Доступность: 462 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SD882, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 3А; 12,5Вт; SOT32" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK Коэффициент усиления по току30...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер65В
165.81 
Доступность: 735 шт.
 

Минимальное количество для товара "2STD1665T4, Транзистор: NPN; биполярный; 65В; 6А; 15Вт; DPAK" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 Коэффициент усиления по току80...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
115.92 
Доступность: 1382 шт.
 

Минимальное количество для товара "2STF1360, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 1,4Вт; SOT89" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
118.12 
Доступность: 2041 шт.
 

Минимальное количество для товара "2STF2360, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 3А; 1,4Вт; SOT89" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току80...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
121.06 
Доступность: 2060 шт.
 

Минимальное количество для товара "2STN1360, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 1,6Вт; SOT223" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В Обозначение производителя2STN1550
105.65 
Доступность: 667 шт.
 

Минимальное количество для товара "2STN1550, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В Обозначение производителя2STN2540
136.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2STN2540, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току70...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
85.84 
Доступность: 873 шт.
 

Минимальное количество для товара "2STR2230, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 1,5А; 500мВт; SOT23" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току25...250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер100В
114.45 
Доступность: 512 шт.
 

Минимальное количество для товара "BCP53-16, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 1А; 1,6Вт; SOT223" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току40...250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер80В
125.46 
Доступность: 571 шт.
 

Минимальное количество для товара "BCP56-16, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 1А; 1,6Вт; SOT223" 1.

Вид упаковкитуба КорпусSOT32 Коэффициент усиления по току25...250 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер45В
83.64 
Доступность: 6030 шт.
 

Минимальное количество для товара "BD135, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 1,5А; 12,5Вт; SOT32" 1.

Вид упаковкитуба КорпусSOT32 Коэффициент усиления по току100...250 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер45В
121.06 
Доступность: 449 шт.
 

Минимальное количество для товара "BD135-16, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 1,5А; 12,5Вт; SOT32" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
8 499.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
8 275.13 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
8 033.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
12 449.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
14 674.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
360.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STGB10H60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 115Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки