Товары от производителя TAIWAN SEMICONDUCTOR - страница 39

Код производителяSFF506GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусITO220AB МонтажTHT Обратное напряжение макс.0,4кВ
147.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFF506GH, Диод: выпрямительный; THT; 400В; 2,5Аx2; ITO220AB" 1.

Код производителяSFF508GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусITO220AB МонтажTHT Обратное напряжение макс.0,6кВ
150.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFF508GH, Диод: выпрямительный; THT; 600В; 2,5Аx2; ITO220AB" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1004GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
308.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1004GH, Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 5Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1005GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
308.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1005GH, Диод: выпрямительный; SMD; 300В; 5Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1006GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
308.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1006GH, Диод: выпрямительный; SMD; 400В; 5Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1008GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
165.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1008GH, Диод: выпрямительный; SMD; 600В; 5Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1602G Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
228.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1602G, Диод: выпрямительный; SMD; 100В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1604G Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
228.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1604G, Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1604GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
231.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1604GH, Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1605GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
375.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1605GH, Диод: выпрямительный; SMD; 300В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1606G Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
231.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1606G, Диод: выпрямительный; SMD; 400В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1606GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
375.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1606GH, Диод: выпрямительный; SMD; 400В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1608G Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
235.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1608G, Диод: выпрямительный; SMD; 600В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFS1608GH Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусD2PAK МонтажSMD
381.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFS1608GH, Диод: выпрямительный; SMD; 600В; 8Аx2; D2PAK; бобина,лента" 1.

Код производителяSFT14G Конструкция диодаодиночный диод КорпусTS1 МонтажTHT Обратное напряжение макс.200В
74.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFT14G, Диод: выпрямительный; THT; 200В; 1А; TS1" 1.

Код производителяSFT16G Конструкция диодаодиночный диод КорпусTS1 МонтажTHT Обратное напряжение макс.0,4кВ
87.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFT16G, Диод: выпрямительный; THT; 400В; 1А; TS1" 1.

Код производителяSFT18G Конструкция диодаодиночный диод КорпусTS1 МонтажTHT Обратное напряжение макс.0,6кВ
87.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFT18G, Диод: выпрямительный; THT; 600В; 1А; TS1" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSGLWH Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD123W МонтажSMD
52.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGLWH, Диод: выпрямительный; SMD; 400В; 0,8А; SOD123W; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSJLWH Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD123W МонтажSMD
52.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SJLWH, Диод: выпрямительный; SMD; 600В; 0,8А; SOD123W; бобина,лента" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяSKLWH Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD123W МонтажSMD
52.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKLWH, Диод: выпрямительный; SMD; 800В; 0,8А; SOD123W; бобина,лента" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Вид компаратора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Версия
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Входной ток смещения
Коэффициент скважности
Ток коллектора в импульсе
Время переключения
Поляризация входного тока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы