Товары от производителя TAIWAN SEMICONDUCTOR - страница 81

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора6,1нC Код производителяTSM1NB60CH C5G КорпусIPAK
212.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM1NB60CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 700мА; 39Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора6,1нC Код производителяTSM1NB60CP ROG КорпусDPAK
174.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM1NB60CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 700мА; 39Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора6,1нC Код производителяTSM1NB60CW RPG КорпусSOT223
128.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM1NB60CW RPG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 700мА; 2,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC Код производителяTSM210N02CX RFG КорпусSOT23
101.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM210N02CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,2А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора23нC Код производителяTSM220NB06CR RLG КорпусPDFN56
145.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM220NB06CR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 23Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора23нC Код производителяTSM220NB06LCR RLG КорпусPDFN56
180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM220NB06LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 23Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,2нC Код производителяTSM2301ACX RFG КорпусSOT23
108.62 
Доступность: 3975 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM2301ACX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 450мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,8нC Код производителяTSM2302CX RFG КорпусSOT23
122.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2302CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,2А; 300мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора20нC Код производителяTSM2305CX RFG КорпусSOT23
168.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2305CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7нC Код производителяTSM2306CX RFG КорпусSOT23
106.14 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM2306CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора15нC Код производителяTSM2307CX RFG КорпусSOT23
109.45 
Доступность: 124 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM2307CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора3,99нC Код производителяTSM2308CX RFG КорпусSOT23
240.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2308CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора8,2нC Код производителяTSM2309CX RFG КорпусSOT23
65.51 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM2309CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора28нC Код производителяTSM230N06CP ROG КорпусDPAK
205.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM230N06CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 32А; 53Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора14нC Код производителяTSM2312CX RFG КорпусSOT23
189.88 
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM2312CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора14нC Код производителяTSM2314CX RFG КорпусSOT23
162.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2314CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора10нC Код производителяTSM2318CX RFG КорпусSOT23
182.42 
Доступность: 29 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM2318CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 3,9А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора19нC Код производителяTSM2323CX RFG КорпусSOT23
208.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2323CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора11,1нC Код производителяTSM2328CX RFG КорпусSOT23
126.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2328CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,38Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора4,1нC Код производителяTSM240N03CX RFG КорпусSOT23
118.57 
Доступность: 218 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM240N03CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Вид компаратора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Версия
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Входной ток смещения
Коэффициент скважности
Ток коллектора в импульсе
Время переключения
Поляризация входного тока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы