Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

TEXAS INSTRUMENTS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт
0.0
CSD23280F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
138.34 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт
0.0
CSD23285F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
226.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт
0.0
CSD23381F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
172.33 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт
0.0
CSD23382F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
87.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9
0.0
CSD25202W15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
287.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6
0.0
CSD25304W1015T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
251.38 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6
0.0
CSD25310Q2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
77.47 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6
0.0
CSD25310Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
108.30 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8
0.0
CSD25402Q3AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
139.13 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8
0.0
CSD25404Q3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
278.26 ₽
Доступность: 383 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт
0.0
CSD25480F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
184.19 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт
0.0
CSD25481F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
178.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт
0.0
CSD25483F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
79.84 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт
0.0
CSD25484F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
101.98 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт
0.0
CSD25485F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
178.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт
0.0
CSD25501F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
194.47 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт
0.0
CSD75208W1015T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий источник КорпусDSBGA6
184.98 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт" 1.

CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6
0.0
CSD85301Q2T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWSON6 МонтажSMD
231.62 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6" 1.

CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD
0.0
CSD85302LT
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий сток КорпусPICOSTAR4
269.57 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD" 1.

CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8
0.0
CSD87335Q3DT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7/10,7нC КорпусLSON-CLIP8 МонтажSMD
292.49 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8" 1.

CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм
0.0
CSD87502Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD
181.82 ₽
Доступность: 274 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
0.0
CSD88537NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
303.56 ₽
Доступность: 214 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
0.0
CSD88539NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
217.39 ₽
Доступность: 388 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

DAC0800LCM/NOPB, IC: ЦАП; 8бит; SO16; 4,5÷18ВDC
0.0
DAC0800LCM/NOPB
КорпусSO16 МонтажSMD Обозначение производителяDAC0800LCM/NOPB ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS Рабочее напряжение4,5...18В DC
445.85 ₽
Доступность: 551 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "DAC0800LCM/NOPB, IC: ЦАП; 8бит; SO16; 4,5÷18ВDC" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки