Товары от производителя TEXAS INSTRUMENTS - страница 6

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
84.13 
Доступность: 59 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q3AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
254.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
138.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
304.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
247.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
146.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
142.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
232.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
177.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
90.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
295.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
265.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
79.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
110.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
167.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
290.77 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
211.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
183.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
81.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
118.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки