Бренды :: TEXAS INSTRUMENTS

CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт

0.0

КОД:

CSD23285F5T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD23381F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

166⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD23382F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

168⁵⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9

0.0

КОД:

CSD25202W15T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

198⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6

0.0

КОД:

CSD25304W1015T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

179⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6

0.0

КОД:

CSD25310Q2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD

71⁹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6

0.0

КОД:

CSD25310Q2T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD

180⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8

0.0

КОД:

CSD25402Q3AT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

174²⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8

0.0

КОД:

CSD25404Q3T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD

250⁹⁵ ^₽

Доступность: 408 шт.

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25480F3T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

163⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25481F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

160⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25483F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

166⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25484F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

168⁵⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт

0.0

КОД:

CSD25485F5T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25501F3T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт

0.0

КОД:

CSD75208W1015T

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий источник КорпусDSBGA6

176¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт" 1.

CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6

0.0

КОД:

CSD85301Q2T

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWSON6 МонтажSMD

270⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6" 1.

CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD

0.0

КОД:

CSD85302LT

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий сток КорпусPICOSTAR4

181⁸² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD" 1.

CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8

0.0

КОД:

CSD87335Q3DT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7/10,7нC КорпусLSON-CLIP8 МонтажSMD

334²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8" 1.

CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм

0.0

КОД:

CSD87502Q2T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD

285⁹⁸ ^₽

Доступность: 274 шт.

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

0.0

КОД:

CSD88537NDT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

292⁶¹ ^₽

Доступность: 303 шт.

Минимальное количество для товара "CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

0.0

КОД:

CSD88539NDT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусSO8 МонтажSMD

169⁵¹ ^₽

Доступность: 723 шт.

Минимальное количество для товара "CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

DAC0800LCM/NOPB, IC: ЦАП; 8бит; SO16; 4,5÷18ВDC

0.0

КОД:

DAC0800LCM/NOPB

КорпусSO16 МонтажSMD Обозначение производителяDAC0800LCM/NOPB ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS Рабочее напряжение4,5...18В DC

511³⁶ ^₽

Доступность: 581 шт.

Минимальное количество для товара "DAC0800LCM/NOPB, IC: ЦАП; 8бит; SO16; 4,5÷18ВDC" 1.

DAC0800LCN/NOPB, IC: ЦАП; 8бит; 6,6Мвыб./с; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4,5÷18ВDC

0.0

КОД:

DAC0800LCN/NOPB

Интерфейсparallel Кол-во каналов1 КорпусPDIP16 МонтажTHT Обозначение производителяDAC0800LCN/NOPB

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "DAC0800LCN/NOPB, IC: ЦАП; 8бит; 6,6Мвыб./с; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4,5÷18ВDC" 1.