Товары от производителя VISHAY - страница 1220

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4058DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 10,3А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
260.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4062DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25,7А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4090BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 18,7А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4090DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,7А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4100DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,8А; Idm: 20А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4100DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,8А; Idm: 20А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора203нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4101DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,7А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4103DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4114DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 20А; Idm: 50А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4114DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 20А; Idm: 50А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4116DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4116DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4122DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,2А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4124DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 20,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4124DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 20,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4126DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 39А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
150.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4128DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,7А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусSO8 МонтажSMD
171.06 
Доступность: 5679 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4134DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4136DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 46А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4143DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,3А; Idm: -70А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки