Товары от производителя VISHAY - страница 1233

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
126.87 
Доступность: 2888 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора330нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
418.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора625нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7157DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
457.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7164DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 80А; 104Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7172ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 17,2А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7172DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 25А; Idm: 30А; 96Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7174DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 66,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7178DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7190ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 14,4А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7190DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 18,4А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7192DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7212DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7212DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7220DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7220DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7223DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7232DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7234DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 60А; Idm: 80А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки