Товары от производителя VISHAY - страница 1248

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
185.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
260.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
363.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR500EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 421А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5102EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
291.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR510EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 148А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
320.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR570EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 90,9А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
274.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5802EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 153А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC МонтажSMD Напряжение сток-исток45В
249.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
389.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
268.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
312.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
268.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
334.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
310.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 204А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
369.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 218А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
277.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
277.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
265.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 104А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
296.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки