Товары от производителя VISHAY - страница 1268

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора72нC КорпусTO247AD МонтажTHT
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора371нC КорпусTO247AD МонтажTHT
4 314.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW61N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора380нC КорпусTO247AD МонтажTHT
2 816.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW70N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
153.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ128LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 25,5А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение сток-исток45В
117.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ150DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ186DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 79,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
180.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ188DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 92,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
140.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 169А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора182нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
223.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
139.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 39,3А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 46,5А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
243.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
200.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ482DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ494DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
117.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 131А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
170.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
131.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
83.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки