Товары от производителя VISHAY - страница 1286

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,7нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
78.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,1нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
73.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,9/12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
72.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5/12,6нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
59.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/35нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
70.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
71.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
85.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
61.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
108.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
107.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
118.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/41нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
126.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/79нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
157.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/77нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
151.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/44,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
143.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/62нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
123.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки