Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1289

Сортировать по:
Новинки ниже
SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А
0.0
SQ4940AEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
123.49 ₽
Доступность: 351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт
0.0
SQ4961EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
126.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт
0.0
SQ7414CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
222.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8
0.0
SQ9945BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
242.02 ₽
Доступность: 773 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70
0.0
SQA401EEJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
132.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А
0.0
SQA405CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А
0.0
SQA411CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
33.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А
0.0
SQA413CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
26.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70
0.0
SQA470EEJ-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусPowerPAK® SC70
62.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
SQD100N04-3M6L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусTO252 МонтажSMD
193.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD19P06-60L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
310.86 ₽
Доступность: 688 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD25N15-52-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
427.96 ₽
Доступность: 1969 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт
0.0
SQD30N05-20L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTO252 МонтажSMD
127.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD40031EL-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
321.50 ₽
Доступность: 642 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт
0.0
SQD40052EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
83.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD45P03-12-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
369.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD50N04-4M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
395.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD50N05-11L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
322.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD50P06-15L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -200А; 45Вт
0.0
SQD50P06-15L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P06-15L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -200А; 45Вт" 1.

SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт
0.0
SQD50P08-28-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
512.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки