Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1290

Сортировать по:
Новинки ниже
SQJ126EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А
0.0
SQJ126EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора152нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ126EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А" 3000.

SQJ158EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ158EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
164.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ158EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ164ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А
0.0
SQJ164ELP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
90.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ164ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А" 3000.

SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт
0.0
SQJ170ELP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт" 3000.

SQJ402EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ402EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
226.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ402EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А
0.0
SQJ409EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

SQJ422EP-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт
0.0
SQJ422EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ422EP-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт" 3000.

SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А
0.0
SQJ431AEP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
157.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт
0.0
SQJ431EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
288.86 ₽
Доступность: 2490 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт" 1.

SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ443EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
180.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ457EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -36А; Idm: -100А; 22Вт
0.0
SQJ457EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ457EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -36А; Idm: -100А; 22Вт" 1.

SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А
0.0
SQJ459EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А" 3000.

SQJ459EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А; 27Вт
0.0
SQJ459EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А; 27Вт" 1.

SQJ461EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; Idm: -120А; 27Вт
0.0
SQJ461EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ461EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; Idm: -120А; 27Вт" 1.

SQJ463EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -30А; Idm: -120А; 28Вт
0.0
SQJ463EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ463EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -30А; Idm: -120А; 28Вт" 1.

SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ465EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
182.40 ₽
Доступность: 2754 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ476EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
182.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ481EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.21 ₽
Доступность: 1192 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ486EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
257.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ858AEP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
210.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки