Товары от производителя VISHAY - страница 1293

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
486.87 
Доступность: 2294 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
490.42 
Доступность: 2277 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
407.38 
Доступность: 2223 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P08-25L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -50А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
416.61 
Доступность: 886 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
498.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTO252 МонтажSMD
231.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO252 МонтажSMD
81.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD80460E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO252 МонтажSMD
141.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,8А; Idm: 70А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора165нC КорпусTO247 МонтажTHT
889.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUG80050E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 100А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора129нC КорпусTO247 МонтажTHT
805.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUG90090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 100А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора57,6нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
562.10 
Доступность: 651 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
596.17 
Доступность: 343 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
490.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
727.47 
Доступность: 797 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
643.01 
Доступность: 2723 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
521.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
760.11 
Доступность: 215 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора230нC КорпусTO263 МонтажSMD
390.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40010EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора195нC КорпусTO263 МонтажSMD
281.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40012EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 150А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора275нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
393.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40014M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А" 800.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки