0.0
WMN26N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
278.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN26N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,1нC КорпусTO262 МонтажTHT
430.04 
Доступность: 100 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMN26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMN26N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
316.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN26N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
289.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN26N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,1нC КорпусTO262 МонтажTHT
289.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMN26N65FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
325.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN26N65FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 650В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN36N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора46нC КорпусTO262 МонтажTHT
730.43 
Доступность: 85 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMN36N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

0.0
WMN38N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
474.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN38N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 38А; 277Вт; TO262" 1.

0.0
WMN38N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
507.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN38N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 38А; 277Вт; TO262" 1.

0.0
WMN38N65FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
573.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN38N65FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 650В; 38А; 277Вт; TO262" 1.

0.0
WMO030N06HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO030N06HG4
143.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO030N06HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO030N06LG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO030N06LG4
143.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO030N06LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO03N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
45.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO252" 1.

0.0
WMO048NV6HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO048NV6HG4
142.29 
Доступность: 78 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMO048NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO048NV6LG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO048NV6LG4
114.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO048NV6LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO04N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
50.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO04N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 3А; 29Вт; TO252" 1.

0.0
WMO053NV8HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO053NV8HGS
116.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO053NV8HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO05N100C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
265.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO05N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 11А; 57Вт" 1.

0.0
WMO05N65MM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток650В
112.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO05N65MM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; полевой; 650В; TO252" 1.

0.0
WMO05N70MM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
115.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO05N70MM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; полевой; 700В; 5,4А; 42Вт; TO252" 1.

0.0
WMO05N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
60.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO252" 1.

0.0
WMO060N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO060N10HGS
113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO060N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO06N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
63.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO252" 1.

0.0
WMO07N100C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Время готовности260нс Заряд затвора3,8нC КорпусTO252
232.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMO07N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 2,2А; Idm: 12А; 65Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки