Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя WeEn Semiconductors - страница 36

Сортировать по:
Новинки ниже
Z0107NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 5/7мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
0.0
Z0107NN0.135
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток12,5А КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяZ0107NN0,135
68.23 ₽
Доступность: 3638 шт.
 

Минимальное количество для товара "Z0107NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 5/7мА; Ifsm: 12,5А; 4Q" 1.

Z0109MA,412, Симистор; 600В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 8,5А; 4Q
0.0
Z0109MA.412
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток8,5А КорпусTO92 МонтажTHT Обозначение производителяZ0109MA,412
27.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "Z0109MA,412, Симистор; 600В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 8,5А; 4Q" 5.

Z0109MA0,412, Симистор; 600В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 13,8А; 4Q
0.0
Z0109MA0.412
Вид упаковкироссыпью Импульсный ток13,8А КорпусTO92 МонтажTHT Обозначение производителяZ0109MA0,412
41.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "Z0109MA0,412, Симистор; 600В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 13,8А; 4Q" 1.

Z0109MN,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 8,5А; 4Q; sensitive gate
0.0
Z0109MN.135
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток8,5А КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяZ0109MN,135
77.77 ₽
Доступность: 1019 шт.
 

Минимальное количество для товара "Z0109MN,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 8,5А; 4Q; sensitive gate" 1.

Z0109MN0,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
0.0
Z0109MN0.135
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток12,5А КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяZ0109MN0,135
63.10 ₽
Доступность: 107 шт.
 

Минимальное количество для товара "Z0109MN0,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q" 1.

Z0109NA,412, Симистор; 800В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 8,5А; 4Q
0.0
Z0109NA.412
Вид упаковкироссыпью Импульсный ток8,5А КорпусTO92 МонтажTHT Обозначение производителяZ0109NA,412
60.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "Z0109NA,412, Симистор; 800В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 8,5А; 4Q" 1.

Z0109NA0,412, Симистор; 800В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 13,8А; 4Q
0.0
Z0109NA0.412
Вид упаковкироссыпью Импульсный ток13,8А КорпусTO92 МонтажTHT Обозначение производителяZ0109NA0,412
42.55 ₽
Доступность: 2000 шт.
 

Минимальное количество для товара "Z0109NA0,412, Симистор; 800В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 13,8А; 4Q" 1.

Z0109NN,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 8А; 4Q; sensitive gate
0.0
Z0109NN.135
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток8А КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяZ0109NN,135
85.11 ₽
Доступность: 1494 шт.
 

Минимальное количество для товара "Z0109NN,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 8А; 4Q; sensitive gate" 1.

Z0109NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
0.0
Z0109NN0.135
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток12,5А КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяZ0109NN0,135
94.64 ₽
Доступность: 815 шт.
 

Минимальное количество для товара "Z0109NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q" 1.

WMS20N700SKX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; Idm: 14А; 1,4Вт; SOT23-3
0.0
WMS20N700SKX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
49.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMS20N700SKX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; Idm: 14А; 1,4Вт; SOT23-3" 1.

WMSC016H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 85А; Press-in PCB; Idm: 170А
0.0
WMSC016H12B1P6T
Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC016H12B1P6T
12 559.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC016H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 85А; Press-in PCB; Idm: 170А" 1.

WMSC020H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 70А; Press-in PCB; Idm: 140А
0.0
WMSC020H12B1P6T
Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC020H12B1P6T
10 096.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC020H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 70А; Press-in PCB; Idm: 140А" 1.

WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А
0.0
WMSC030H12B1P6T
Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC030H12B1P6T
7 258.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А" 1.

WMSC040H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 45А; Press-in PCB; Idm: 90А
0.0
WMSC040H12B1P6T
Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC040H12B1P6T
6 493.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC040H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 45А; Press-in PCB; Idm: 90А" 1.

WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт
0.0
WNSC2M20120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 037.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт" 1.

WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт
0.0
WNSC2M40120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 873.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт" 1.

WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт
0.0
WNSCM80120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора59нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 090.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт" 1.

WG40N65DFJQ, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 26Вт; SOT1293,TO3PF
0.0
WG40N65DFJQ
Вид упаковкитуба Заряд затвора173нC КорпусSOT1293, TO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
371.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WG40N65DFJQ, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 26Вт; SOT1293,TO3PF" 1.

WG40N65DFWQ, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 125Вт; TO247-3
0.0
WG40N65DFWQ
Вид упаковкитуба Время включения95нс Время выключения378нс Заряд затвора173нC КорпусTO247-3
392.52 ₽
Доступность: 332 шт.
 

Минимальное количество для товара "WG40N65DFWQ, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 125Вт; TO247-3" 1.

WG50N65HFW1Q, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 227Вт; TO247-3
0.0
WG50N65HFW1Q
Вид упаковкитуба Заряд затвора138нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
537.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WG50N65HFW1Q, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 227Вт; TO247-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки