Товары от производителя WeEn Semiconductors - страница 47

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяWNSC2M150120B76J КорпусTO263-7
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M150120B76J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 20,3А; Idm: 58А; 231Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC Код производителяWNSC2M150120W6Q КорпусTO247-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M150120W6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16,5А; Idm: 46А; 153Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяWNSC2M1K0170WQ КорпусTO247-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M1K0170WQ, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5А; Idm: 20А; 79Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора215нC Код производителяWNSC2M20120B76J КорпусTO263-7
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M20120B76J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 109,2А; Idm: 300А; 789Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC Код производителяWNSC2M20120R6Q КорпусTO247-4
5 693.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора151нC Код производителяWNSC2M30120R6Q КорпусTO247-4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M30120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 75,2А; Idm: 200А; 652Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяWNSC2M40120B76J КорпусTO263-7
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120B76J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 61А; Idm: 170А; 500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC Код производителяWNSC2M40120R6Q КорпусTO247-4
3 247.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Код производителяWNSC2M40120W6Q КорпусTO247-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120W6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 49,8А; Idm: 140А; 336Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяWNSC2M45065B76J КорпусTO263-7
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M45065B76J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 181А; 484Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора83нC Код производителяWNSC2M60120R6Q КорпусTO247-4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M60120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяWNSC2M75120R6Q КорпусTO247-4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M75120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38,1А; Idm: 100А; 366Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяWNSC2M75120W6Q КорпусTO247-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M75120W6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30,3А; Idm: 80А; 231Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора59нC Код производителяWNSCM80120R6Q КорпусTO247-4
2 362.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC Код производителяWSJM65R099DQ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WSJM65R099DQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20А; Idm: 128А; 240Вт; TO220-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяWSJM65R099DTLJ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WSJM65R099DTLJ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 100А; 147Вт; TOLL; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора38нC Код производителяWSJM65R170XQ КорпусTO220FP
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WSJM65R170XQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 72А; 36Вт; TO220FP" 1.

Вид упаковкитуба Заряд затвора173нC Код производителяWG40N65DFJQ КорпусSOT1293, TO3PF МонтажTHT
419.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WG40N65DFJQ, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 26Вт; SOT1293,TO3PF" 1.

Вид упаковкитуба Время включения95нс Время выключения378нс Заряд затвора173нC Код производителяWG40N65DFWQ
443.62 
Доступность: 278 шт.
 

Минимальное количество для товара "WG40N65DFWQ, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 125Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения123нс Время выключения265нс Заряд затвора160нC Код производителяWG50N65DHWQ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WG50N65DHWQ, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 111Вт; TO247-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Тип тиристора
Топология
Версия
Кол-во каналов
Механический монтаж
Ток коллектора
Напряжение пробоя
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Защита
Количество в комплекте/упаковке
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Время включения
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения
Выводы