Бренды :: Wolfspeed(CREE) - страница 3

C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт

0.0

КОД:

C3M0060065J

Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В

3 380⁶⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт

0.0

КОД:

C3M0060065K

Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

3 122¹⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс

0.0

КОД:

C3M0065090D

Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

3 637³¹ ^₽

Доступность: 7 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс

0.0

КОД:

C3M0065090J

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

3 281²⁵ ^₽

Доступность: 59 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс

0.0

КОД:

C3M0065090J-TR

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс

0.0

КОД:

C3M0065100J

Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

2 943¹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт

0.0

КОД:

C3M0075120D

Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

3 714⁹⁶ ^₽

Доступность: 42 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7

0.0

КОД:

C3M0075120J

Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

3 360⁸⁰ ^₽

Доступность: 48 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4

0.0

КОД:

C3M0075120K

Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

3 386³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4" 1.

C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс

0.0

КОД:

C3M0120090D

Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

2 346⁵⁹ ^₽

Доступность: 82 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс" 1.

C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс

0.0

КОД:

C3M0120090J

Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

2 446⁰² ^₽

Доступность: 136 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс

0.0

КОД:

C3M0120100J

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

2 167⁶¹ ^₽

Доступность: 34 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс

0.0

КОД:

C3M0120100K

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

2 346⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс" 1.

C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

0.0

КОД:

C3M0160120D

Вид каналаобогащенный Заряд затвора38нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

1 855¹¹ ^₽

Доступность: 448 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт" 1.

C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт

0.0

КОД:

C3M0160120J

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В

1 863⁶⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт" 1.

C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс

0.0

КОД:

C3M0280090J

Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора9,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD

1 518⁹⁴ ^₽

Доступность: 24 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт

0.0

КОД:

C3M0350120D

Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

1 149⁶² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт" 1.

C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт

0.0

КОД:

C3M0350120J

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В

1 169⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт" 1.

C4D02120A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 2А; TO220-2; 60Вт; C4D

0.0

КОД:

C4D02120A

Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2 МонтажTHT Обозначение производителяC4D02120A Обратное напряжение макс.1,2кВ

515¹⁵ ^₽

Доступность: 1131 шт.

Минимальное количество для товара "C4D02120A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 2А; TO220-2; 60Вт; C4D" 1.

C4D02120E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 1,2кВ; 2А; 52Вт; C4D

0.0

КОД:

C4D02120E

Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2 МонтажSMD Обозначение производителяC4D02120E Обратное напряжение макс.1,2кВ

451⁷⁰ ^₽

Доступность: 873 шт.

Минимальное количество для товара "C4D02120E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 1,2кВ; 2А; 52Вт; C4D" 1.

C4D05120A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 5А; TO220-2; 81Вт; C4D

0.0

КОД:

C4D05120A

Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2 МонтажTHT Обозначение производителяC4D05120A Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 071⁹⁷ ^₽

Доступность: 681 шт.

Минимальное количество для товара "C4D05120A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 5А; TO220-2; 81Вт; C4D" 1.

C4D05120E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 1,2кВ; 5А; 97Вт; C4D

0.0

КОД:

C4D05120E

Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2 МонтажSMD Обозначение производителяC4D05120E Обратное напряжение макс.1,2кВ

781²⁵ ^₽

Доступность: 177 шт.

Минимальное количество для товара "C4D05120E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 1,2кВ; 5А; 97Вт; C4D" 1.

C4D08120A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 8А; TO220-2; 120Вт

0.0

КОД:

C4D08120A

Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2 МонтажTHT Обозначение производителяC4D08120A Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C4D08120A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 8А; TO220-2; 120Вт" 1.

C4D08120E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 1,2кВ; 8А; 137Вт

0.0

КОД:

C4D08120E

Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2 МонтажSMD Обозначение производителяC4D08120E Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 055⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C4D08120E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 1,2кВ; 8А; 137Вт" 1.