Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя Wolfspeed(CREE) - страница 4

Сортировать по:
Новинки ниже
CSD01060E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 600В; 1А; 21,4Вт
0.0
CSD01060E
Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2 МонтажSMD Обозначение производителяCSD01060E Обратное напряжение макс.0,6кВ
423.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD01060E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 600В; 1А; 21,4Вт" 1.

C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс
0.0
C2M0025120D
Вид каналаобогащенный Время готовности45нс Заряд затвора161нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
16 442.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс" 1.

C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс
0.0
C2M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
10 082.66 ₽
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс" 1.

C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс
0.0
C2M0045170D
Вид каналаобогащенный Время готовности70нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
19 970.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс" 1.

C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс
0.0
C2M0080120D
Вид каналаобогащенный Время готовности32нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
5 130.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс" 1.

C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3
0.0
C2M0160120D
Вид каналаобогащенный Время готовности23нс Заряд затвора34нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 867.16 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3" 1.

C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс
0.0
C2M1000170D
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 780.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс" 1.

C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс
0.0
C2M1000170J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 301.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт
0.0
C3M0015065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
8 523.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт
0.0
C3M0016120K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
10 095.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс
0.0
C3M0030090K
Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
8 280.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
0.0
C3M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 742.44 ₽
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
0.0
C3M0040120K
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 856.09 ₽
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт
0.0
C3M0060065D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 386.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт
0.0
C3M0060065J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
2 760.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт
0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 511.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс
0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 033.21 ₽
Доступность: 148 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 607.38 ₽
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс
0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 532.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт
0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 654.61 ₽
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

Показать еще 14 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки