Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя Wolfspeed(CREE) - страница 5

Сортировать по:
Новинки ниже
C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт
0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Код производителяC3M0060065K КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 698.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс
0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC Код производителяC3M0065090D КорпусTO247-3
3 407.96 ₽
Доступность: 586 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC Код производителяC3M0065090J КорпусD2PAK-7
2 929.52 ₽
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
0.0
C3M0065090J-TR
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC Код производителяC3M0065090J-TR КорпусD2PAK-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс
0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC Код производителяC3M0065100J КорпусD2PAK-7
2 845.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт
0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC Код производителяC3M0075120D КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 982.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7
0.0
C3M0075120J
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC Код производителяC3M0075120J КорпусD2PAK-7
3 190.71 ₽
Доступность: 43 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4
0.0
C3M0075120K
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC Код производителяC3M0075120K КорпусTO247-4
1 716.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4" 1.

C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс
0.0
C3M0120090D
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC Код производителяC3M0120090D КорпусTO247-3
1 787.73 ₽
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс" 1.

C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс
0.0
C3M0120090J
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC Код производителяC3M0120090J КорпусD2PAK-7
2 572.14 ₽
Доступность: 136 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс
0.0
C3M0120100J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC Код производителяC3M0120100J КорпусD2PAK-7
2 225.54 ₽
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс
0.0
C3M0120100K
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC Код производителяC3M0120100K КорпусTO247-4
2 152.57 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс" 1.

C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
0.0
C3M0160120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора38нC Код производителяC3M0160120D КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 558.04 ₽
Доступность: 402 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт" 1.

C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт
0.0
C3M0160120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC Код производителяC3M0160120J КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 344.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт" 1.

C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс
0.0
C3M0280090J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора9,5нC Код производителяC3M0280090J КорпусD2PAK-7
1 333.33 ₽
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт
0.0
C3M0350120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC Код производителяC3M0350120D КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 351.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт" 1.

C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт
0.0
C3M0350120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC Код производителяC3M0350120J КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 585.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт" 1.

CAS120M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 138А; 62MM; винтами; 925Вт
0.0
CAS120M12BM2
Код производителяCAS120M12BM2 Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В
126 600.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CAS120M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 138А; 62MM; винтами; 925Вт" 1.

CAS300M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 285А; 62MM; винтами; 1,66кВт
0.0
CAS300M12BM2
Код производителяCAS300M12BM2 Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В
207 960.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CAS300M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 285А; 62MM; винтами; 1,66кВт" 1.

CAS310M17BM3, Модуль; транзистор/транзистор; 1,7кВ; 310А; 62MM; винтами; 1,63кВт
0.0
CAS310M17BM3
Код производителяCAS310M17BM3 Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...19В
233 499.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CAS310M17BM3, Модуль; транзистор/транзистор; 1,7кВ; 310А; 62MM; винтами; 1,63кВт" 1.

Фильтры товаров
Срок поставки
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Топология
Механический монтаж
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Тип модуля
Ток стока
Электрический монтаж
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов