Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя YANGJIE TECHNOLOGY - страница 34

Сортировать по:
Новинки ниже
BC857BW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323
0.0
BC857BW-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
5.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC857BW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

BC857C, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23
0.0
BC857C-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
5.14 ₽
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857C, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

BC857CW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323
0.0
BC857CW-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
5.87 ₽
Доступность: 1500 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857CW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

BC858A, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23
0.0
BC858A-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
4.40 ₽
Доступность: 4366 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC858A, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

BC858AW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323
0.0
BC858AW-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
5.87 ₽
Доступность: 2724 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC858AW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

BC858B, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23
0.0
BC858B-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
6.60 ₽
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC858B, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

BC858BW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323
0.0
BC858BW-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
5.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC858BW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

BC858C, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23
0.0
BC858C-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
5.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC858C, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

BC858CW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323
0.0
BC858CW-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
5.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC858CW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG100HF12MRC1-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100HF12MRC1
6 181.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ
0.0
MG100UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100UZ12GJ
4 471.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А
0.0
MG10P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG10P12P2
4 148.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
0.0
MG15P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2
5 068.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG200HF12MRC2-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG200HF12MRC2
11 863.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А
0.0
MG25P12P3-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG25P12P3
6 908.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
0.0
MG35P12P3-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG35P12P3
8 748.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U
0.0
MG50U12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50U12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 471.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U" 1.

MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ
0.0
MG50UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 471.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ" 1.

MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U
0.0
MG75U12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG75U12GJ
4 471.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ
0.0
MG75UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG75UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 471.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки