Товары от производителя YANGJIE TECHNOLOGY - страница 34

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC856AW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD
5.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC856AW, Транзистор: PNP; биполярный; 65В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC856B КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
6.63 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC856B, Транзистор: PNP; биполярный; 65В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC856BW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
5.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC856BW, Транзистор: PNP; биполярный; 65В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857A КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD
6.63 
Доступность: 1878 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857A, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857AW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD
5.80 
Доступность: 925 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857AW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857B КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
7.46 
Доступность: 300 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857B, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857BS КорпусSOT363 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
8.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC857BS, Транзистор: PNP x2; биполярный; 45В; 0,2А; 0,3Вт; SOT363" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857BW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
5.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC857BW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857C КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD
5.80 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857C, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC857CW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD
6.63 
Доступность: 1500 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC857CW, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC858A КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD
4.98 
Доступность: 4266 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC858A, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC858AW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току125...250 МонтажSMD
6.63 
Доступность: 2725 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC858AW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC858B КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
7.46 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC858B, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC858BW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD
5.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC858BW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC858C КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD
5.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC858C, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23" 25.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяBC858CW КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD
5.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC858CW, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 25.

Код производителяMG100HF12MRC1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 986.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG100UZ12GJ Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 053.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

Код производителяMG10P12P2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 688.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

Код производителяMG15P12P2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 728.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Топология
Версия
Механический монтаж
Ток коллектора
Частота
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы