Товары из категории драйверы mosfet/igbt, стр.29

Производитель

Драйверы MOSFET и IGBT — это специализированные микросхемы или модули, предназначенные для управления затвором силовых полупроводниковых ключей (MOSFET, IGBT) в составе инверторов, импульсных источников питания, частотных преобразователей, сварочных аппаратов и систем рекуперации.

Обеспечивают быстрое, надёжное и защищённое переключение при высоких напряжениях и токах.

В каталоге 7-el.ru — драйверы MOSFET и IGBT от проверенных производителей: KEFA, Texas Instruments, Analog Devices, Infineon, STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MIC5060YML-TR
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусMLF8
441.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIC5060YML-TR, IC: driver; контроллер затвора; MLF8; Ch: 1; 2,75÷30В" 1.

0.0
NCP1392BDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
246.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP1392BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

0.0
NCP1392DDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
275.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP1392DDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

0.0
NCP1393BDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
197.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP1393BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

0.0
NCP302035MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток35А КорпусPQFN31 5X5
298.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP302035MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 35А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

0.0
NCP302045MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток45А КорпусPQFN31 5X5
452.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

0.0
NCP3420DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора КорпусSO8 МонтажSMD Обозначение производителяNCP3420DR2G ПроизводительONSEMI
90.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

0.0
NCP5104DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
196.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

0.0
NCP5109ADR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
277.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

0.0
NCP5109BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
270.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

0.0
NCP5111DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
257.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

0.0
NCP51530BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
347.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

0.0
NCP51530BMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
369.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

0.0
NCP51561BADWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
616.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

0.0
NCP51561BBDWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
760.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

0.0
NCP51705MNTXG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-6...6А КорпусQFN24
858.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24" 1.

0.0
NCP51810AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А КорпусQFN15 МонтажSMD Обозначение производителяNCP51810AMNTWG
346.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

0.0
NCP5181DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса60нс Время падения импульса40нс Выходной ток-2,2...1,4А
232.41 
Доступность: 1742 шт.
+

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

0.0
NCP51820AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Класс напряжения650В КорпусQFN15 МонтажSMD
355.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

0.0
NCP5183DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса40нс Время падения импульса40нс Выходной ток-4,3...4,3А Класс напряжения600В
608.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В" 1.

Показать еще 20 товаров
Хиты продаж