Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Драйверы MOSFET/IGBT

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
MIC5060YML-TR, IC: driver; контроллер затвора; MLF8; Ch: 1; 2,75÷30В
0.0
MIC5060YML-TR
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусMLF8
‍474‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIC5060YML-TR, IC: driver; контроллер затвора; MLF8; Ch: 1; 2,75÷30В" 1.

NCP1392BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В
0.0
NCP1392BDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP1392BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

NCP1392DDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В
0.0
NCP1392DDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
‍296‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP1392DDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

NCP1393BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В
0.0
NCP1393BDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
‍212‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP1393BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

NCP302035MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 35А; 4,5÷5,5ВDC
0.0
NCP302035MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток35А КорпусPQFN31 5X5
‍321‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP302035MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 35А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC
0.0
NCP302045MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток45А КорпусPQFN31 5X5
‍486‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8
0.0
NCP3420DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора КорпусSO8 МонтажSMD Обозначение производителяNCP3420DR2G ПроизводительONSEMI
‍97‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5104DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
‍211‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
0.0
NCP5109ADR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
‍298‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
0.0
NCP5109BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
‍290‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5111DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
‍277‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А
0.0
NCP51530BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
‍374‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В
0.0
NCP51530BMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
‍397‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
0.0
NCP51561BADWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
‍662‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
0.0
NCP51561BBDWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
‍817‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24
0.0
NCP51705MNTXG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-6...6А КорпусQFN24
‍922‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24" 1.

NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15
0.0
NCP51810AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А КорпусQFN15 МонтажSMD Обозначение производителяNCP51810AMNTWG
‍372‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2
0.0
NCP5181DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса60нс Время падения импульса40нс Выходной ток-2,2...1,4А
‍250‍ ₽
Доступность: 1759 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15
0.0
NCP51820AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Класс напряжения650В КорпусQFN15 МонтажSMD
‍382‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В
0.0
NCP5183DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса40нс Время падения импульса40нс Выходной ток-4,3...4,3А Класс напряжения600В
‍654‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (14)