Тиристорные модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены тиристорные модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте тиристорные модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
GD1600SGX170C3S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1600SGX170C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD1600SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; винтами" 1.

0.0
GD200FFX65C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200FFX65C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
GD200FFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200FFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
GD200HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S
21 88028 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD200HFX170C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD200HFX65C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD200HFX65C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD200HFX65C8S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C8S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD200HFY120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD200HFY120C8S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFY120C8S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD200TLQ120L3S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200TLQ120L3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200TLQ120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
GD20PJX65F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S
6 77729 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

0.0
GD20PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S
6 68046 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

0.0
GD225HFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD225HFX170C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD225HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD225HFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD225HFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD225HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD2400SGX170C4S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGX170C4S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2400SGX170C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 1.

0.0
GD2400SGY120C3S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD2400SGY120C4S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C4S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 1.

0.0
GD25PJY120F2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD25PJY120F5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F5S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD25PJY120L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S
9 11884 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD300HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFU120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD300HFX170C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD300HFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Показать еще 24 товара