Тиристорные модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены тиристорные модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте тиристорные модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
SEMIX302GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120
84 42342 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121
101 07570 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470
99 33187 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110
105 52905 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GB12E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007
107 85211 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX303GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4P 27895007
96 23415 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4S 27890130
92 16901 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12M7P 27895107
95 26496 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12VS 27890131
90 42606 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4P 27895407
111 33715 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4S 27892075
111 14261 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX303GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GD12E4C 27890210
271 08275 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX305MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI07E4 21919430
165 36004 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами" 1.

0.0
SEMIX305MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI12E4V2 27922900
207 18486 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX305TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305TMLI12E4B 21919480
170 97623 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SEMIX355MLI12M7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX355MLI12M7 27922120
195 56602 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А" 1.

0.0
SEMIX402GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAL066HDS 27891104
19 36180 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А" 1.

0.0
SEMIX402GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAR066HDS 27891106
58 86268 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А" 1.

0.0
SEMIX402GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GB066HDS 27891100
79 00176 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX402GB066HDS 27891100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX404GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB12E4S 27890170
125 08539 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB12E4S 27890170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX404GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB17E4S 27892076
145 99824 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB17E4S 27892076, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX405MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405MLI07E4 21919440
197 50352 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX405MLI07E4 21919440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SEMIX405TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405TMLI12E4B 21919490
199 43926 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX405TMLI12E4B 21919490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SEMIX452GAL126HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX452GAL126HDS 27890685
75 90317 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX452GAL126HDS 27890685, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

Показать еще 24 товара