Тиристорные модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены тиристорные модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте тиристорные модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
SEMIX453GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL12E4S 27890144
86 74736 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL12E4S 27890144, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4P 27894424
106 10915 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4P 27894424, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GAL17E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4S 27892132
103 01056 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4S 27892132, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAR12E4S 27890142
85 77817 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAR12E4S 27890142, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
119 27641 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
134 57394 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
129 92606 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
125 85915 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
123 92430 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
122 37500 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
143 67430 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4DP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
157 22799 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
164 00528 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
156 64789 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
152 38644 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
156 83979 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
348 53521 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
414 36884 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX453GD17E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
447 28521 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GM12E4P
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
136 31514 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SEMIX503GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
364 02465 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX603GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
83 06866 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
131 47535 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
130 31250 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Показать еще 24 товара