Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN100N60B3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN100N60B3H1

7 879 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN110N65B4H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65B4H1

4 849 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN110N65C4H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65C4H1

5 046 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3

7 396 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B" 1.

IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N60B3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3H1

8 441 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N60C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60C3H1

7 667 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N65A4

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N65A4

4 465 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3

9 362 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N120C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1

11 791 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N65B3D1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1

6 253 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N65C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1

4 852 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN120N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3

7 170 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN150N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3

8 946 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN30N170CV1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1

7 482 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN50N170CV1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN50N170CV1

13 010 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN75N65C3D1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN75N65C3D1

5 983 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B" 1.

IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN80N90C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN80N90C3H1

8 268 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B" 1.

IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN82N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3

8 538 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN82N120C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3H1

11 127 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B" 1.

MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MCMA240UI1600ED

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600ED

26 525 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.