Товары из категории модули igbt, стр.25

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SEMIX126DGL22P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX126DGL22P 27896300
86 668.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ" 1.

0.0
SEMIX151GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12E4S 27890102
33 644.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GAL12VS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12VS 27890103
36 752.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAR12E4S 27890104
33 277.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12E4S 27890100
43 699.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX151GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12VS 27890101
50 283.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX151GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB17E4S 27892100
53 026.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX151GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD066HDS 27891210
90 142.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD126HDS 27890731
115 558.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SEMIX151GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12E4S 27890200
74 254.55 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GD12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12VS 27890201
128 540.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX155MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX155MLI07E4 21919410
109 342.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами" 1.

0.0
SEMIX156GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12M7P 27896110
116 472.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX156GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12T4P 27896020
128 357.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX186DGL16P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX186DGL16P 27896200
88 498.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SEMIX201GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX201GD066HDS 27891220
108 061.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX202GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB066HDS 27891110
51 562.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12E4S 27890110
61 984.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111
48 915.42 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB17E4S 27892074
74 600.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX205GD12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205GD12E4 21919530
184 675.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX205MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI07E4 21919420
132 562.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами" 1.

0.0
SEMIX205MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI12E4V2 27922890
141 522.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX205TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205TMLI12E4B 21919470
130 735.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж