Товары из категории модули igbt - страница 21

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA100W1200TEH
34 153.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 108А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA101W1200EH
20 988.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET; XPT™" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10W1200TML
4 368.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 12А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TED
13 699.92 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TML
5 150.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150Q1200VA
7 212.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150Q1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150R1200VA
7 040.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; 695Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150W1200TEH
41 976.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA151W1200EH
27 857.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA151W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA20W1200TML
5 857.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA20WB1200TED
16 828.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA20WB1200TML
6 735.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA225PF1200TSF
29 575.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA225PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA225RF1200TSF
13 051.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA225RF1200TSF, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA300PF1200TSF
33 963.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA300PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA30W1200TED
14 424.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA30W1200TML
6 487.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA30WB1200TED
16 237.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA40W1200TED
12 147.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA40W1200TML
7 384.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж